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2025年第三代半导体市场规模将达到434亿美元
时间: 2020-08-01 04:27
据国外研究机构数据显示,到2025年,第三代半导体市场的增长将从320亿美元增长至434亿美元,复合年增长率为6.3%。第三代半导体市场包括GaN、GaAs、SiC、InP等,材料在LED,RF器件,电力

据国外研究机构数据显示,到2025年,第三代半导体市场的增长将从320亿美元增长至434亿美元,复合年增长率为6.3%。第三代半导体市场包括GaN、GaAs、SiC、InP等,材料在LED,RF器件,电力电子上使用,应用在电信,通用照明,汽车,电源等市场。

第三代半导体在LED应用中的越来越多的使用为需求提供了动力,而氮化镓和碳化硅的需求不断增长以及在半导体行业中的应用预计将发挥至关重要的作用。第三代半导体市场包括主要的1级和2级市场参与者,例如Nichia、三星电子、ams、Qorvo和Skyworks,它们的制造工厂遍布亚太、欧洲、北美和世界其它地区,由于疫情大流行,多个设施都关闭了。

该报告预计,由于新冠疫情,全球半导体产业将在2020年显着下降,这将特别对第三代半导体市场产生滚雪球效应。它指出,这可能导致企业对第三代半导体相关的研究费用降低。

随着GaN在LED,功率器件和射频器件中的使用越来越多,按价值计算,据估计GaN在化合物半导体市场中占有最大份额。GaN LED用于一般照明,消费设备,商业和汽车应用。主要由于GaN的宽带隙特性及其用于制造白色LED的原因,LED占据了GaN市场的最大份额。各种应用如普通照明,标牌和汽车对GaN LED的需求不断增长,预计将推动GaN市场的增长。

GaN在RF器件中也变得越来越重要,因为它们具有在高频下在宽带宽上组合高RF功率输出的能力。随着行业转向采用频率大于6GHz的5G网络,硅芯片将无法满足网络的各种要求,因为硅器件的工作频率远低于3GHz。在用于5G的较高频率,如3.5GHz以下下,GaN比LDMOS /硅器件更有效。报告指出,因此GaN将在5G应用中获得吸引力,尤其是在基站功率放大器中。

全世界的发达国家和新兴国家都看到了电信领域的快速发展。从3G到4G / LTE以及现在的5G的技术转变已增加了通过移动设备的网络流量,并导致跨通信通道的网络干扰增加。按应用估计,电信将构成化合物半导体市场中最大的细分市场,而5G将提供巨大的机会。分析师认为,增长主要由对射频设备的需求增长所驱动。

随着行业向5G的采用转变,预计每个智能手机使用的射频器件将会增加。为了满足4G和5G的所有要求,包括饱和和线性效率,要达到这样的技术标准必须使用采用第三代半导体技术制造的功率放大器,这些技术和市场的新要求有望推动市场增长。

按地区划分,在预测期内,亚太地区有望成为化合物半导体的最大市场。GaN和SiC在功率器件中的快速市场渗透,新的半导体材料制成的器件正在逐渐取代硅器件,在亚太地区的几个应用领域中占主导地位。据分析师预测,对于功率器件而言,GaN和SiC功率应用的数量不断增加,在该地区创造了巨大的收入潜力,这吸引了一些行业参与者将GaN和SiC功率器件大规模生产用于多种功率应用,反过来又增加了该地区化合物半导体市场的收入潜力。

分析报告中列举了化合物半导体市场的主要参与者,包括日亚化学(日本),三星电子(韩国),ams(奥地利),科沃(美国),Skyworks(美国),Cree(美国),GaN Systems(加拿大) ,英飞凌(德国),三菱电机(日本),恩智浦(荷兰)和安森美半导体(美国)等。

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